Gamintojas: Samsung
Modelis: M471A1K43EB1-CWE
EAN: 4260580376568
Samsung M471A1K43EB1-CWE atminties modulis yra aukštos našumo DDR4 atminties modulis, skirtas nešiojamiesiems kompiuteriams. Turint 8 GB talpos, jis suteikia pakankamai vietos duomenų saugojimui ir greitam prieigai. Modulis turi 3200 MHz atminties laikrodžio dažnį, užtikrinantį sparčius duomenų perdavimo greičius ir sklandų daugelbūdiškumo veikimą.
Šiam atminties moduliui, turinčiam 260 kontaktų SO-DIMM formą, suderinami įvairių nešiojamųjų kompiuterių modeliai. Jis turi žemą 1,2 V atminties įtampą, užtikrinantį energijos efektyvumą, nesumažinant veikimo greičio. Modulio 21 CAS vėlinimo laikas užtikrina efektyvų duomenų gavimą, mažinant vėlinimą ir gerinant bendrą sistemos reaktyvumą.
Šis Samsung atminties modulis yra sukurtas su neregistruota (nebufruota) technologija, užtikrinančia tiesioginį ir efektyvų ryšį tarp atminties ir procesoriaus. Jis taip pat yra aprūpintas ECC (klaidų taisymo kodavimo) technologija, kuri aptinka ir taiso klaidas atmintyje, užtikrinant duomenų vientisumą ir patikimumą.
Modulio 1024M x 8 konfigūracija pagerina jo suderinamumą ir veikimą. Jis sukurtas naudojant aukštos kokybės komponentus ir praeina griežtus bandymus, užtikrinančius ilgaamžiškumą ir patikimumą.
Atnaujinkite savo nešiojamojo kompiuterio atmintį su Samsung M471A1K43EB1-CWE atminties moduliu ir patirkite patobulintą sistemos veikimą, greitesnį duomenų prieigą ir gerus daugelbūdiškumo galimybes.
Komentarų dar nėra
Komentarus gali palikti tik registruoti naudotojai
Kainų istorija
Savybės | |
Modulio konfigūracija | 1024M x 8 |
Atminties įtampa | 1.2 V |
CAS latencija | 21 |
ECC | |
Atminties formos koeficientas | 260-pin SO-DIMM |
Taikoma | Knyginis kompiuteris |
Atminties laikrodžio greitis | 3200 MHz |
Vidinės atminties tipas | DDR4 |
Atminties išdėstymas (moduliai x dydis) | 1 x 8 GB |
Vidinė atmintis | 8 GB |
Buferinės atminties tipas | Unregistered (unbuffered) |